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高真空PECVD设备
产品型号：KJ-T1200-S5030-H
主要用途：广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。
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设备介绍
PECVD系统由管式炉，真空系统、供气系统、射频电源系统等组成。PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。PECVD增加功能容易，可扩展等离子清洗刻蚀等功能，PECVD系统薄膜沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高等优点。 等离子增强化学沉积系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。
产品优势
成品质量好PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点
沉积效果好等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜
薄膜应力大小可调可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小
技术参数
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产品名称 |
高真空PECVD设备(CE认证) |
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滑轨管式炉部分 |
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产品型号 |
KJ-T1200-S5030-H |
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炉管尺寸 |
Φ50mmX1600mm |
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炉管材质 |
石英管 |
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加热区 |
300mm |
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工作温度 |
1100℃ |
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最高温度 |
1200℃ |
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温控方式 |
K型热电偶 |
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控制方式 |
触屏控制，带独立摇臂，可以根据实际使用需求，调节温控屏的角度，使用更方便 |
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控温精度 |
±1℃ |
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温控保护 |
具有超温和断偶保护功能 |
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升温速率 |
0-20ºC/min ，建议10ºC/min |
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加热元件 |
含钼电阻丝 |
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工作电压 |
AC 220V 单相 50HZ （电路电压用户可选择定制） |
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加热功率 |
3KW |
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炉膛材料 |
氧化铝多晶纤维 |
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炉体结构 |
炉体带滑轨，可实现快速升温和降温 |
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法兰接头 |
标配配有两个不锈钢真空法兰，已安装机械压力表和不锈钢截止阀 |
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密封系统 |
该炉炉管与法兰之间采用硅胶O型圈挤压密封、撤卸方便、可重复撤卸，气密性好。 |
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壳体 |
不锈钢壳体 |
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选配 |
辅助降温风扇 |
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真空系统部分 |
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名称 |
真空系统 |
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主要参数 |
1.采用进口安捷伦高真空分子泵组，极限真空度可达10-3pa 2.KF25快接，不锈钢波纹管，手动挡板阀与法兰，真空泵相连； 3.数字式真空显示，其测量范围为5×10-5- 1500mbar，测量精度高高 |
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气路系统部分 |
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名称 |
四路质量流量计 |
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主要参数 |
四通道精密质量流量计：触屏控制，数字显示，自动控制。流量范围流量范围： 1.MFC 1-MFC4：0-1000sccm可调 2.一个混气罐 3.4个不锈钢针阀安装在供气系统的左侧，可手动控制4种气体； 4.进出气口：3进1出 流量控制：手动旋转式调节 连接方式：双卡套连接 |
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等离子电源部分 |
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名称 |
500W等离子电源 |
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功率范围 |
0-500W（连续可调） |
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工作频率 |
13.56MHZ+0.005% |
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工作模式 |
连续输出 |
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射频输出阻抗接口 |
N-type,female（50Ω） |
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功率稳定度 |
≤2W |
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最大反射功率 |
70W |
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电源保护设置 |
DC过流保护，功放过温保护，反射功率保护 |
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供电电压/频率 |
单相交流（187V-253V）50-60HZ |
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冷却方式 |
风冷 |
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整机尺寸 |
88X483X550 MM |
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整机重量 |
13.5KG |
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认证 |
ISO认证、CE认证 |
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售后服务 |
质保一年，终身保修（耗材类：高温密封圈、炉管、加热元件等不属于质保范围） |
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