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PECVD是在LPCVD过程进行的同时,再利用辉光放电等离子体对沉积过程施加影响,借以增强反应物质的化学活性,促进气体间的相互反应,从而在较低的温度下在基片上生长成膜的技术,称为做等离子体增强化学气相沉积系统,简称PECVD技术。
按激发电力的输入方式,可分为外部感应耦合式和内部感应耦合式两种,
若以作业的生产方式来划分,则有周期生产式和半连续生产与连续生产式三种。
PECVD的优点:
1、PECVD生成膜温度低,对基体影响小,从而可以避免高温成膜造成的膜层晶粒粗大以及膜层与基体生成脆相等缺点;
2、在较低的压力下进行,由于反应物中分子、原子、等离子粒团与电子之间的碰撞、散射、电离等作用既提高了膜厚及成分的均匀性,也使膜层针孔减小,组织致密,内应力小,不易产生微裂纹;
3、等离子体对基片及膜层表面具有清洗作用,提高了膜层对基片的附着强度;
4、扩大了化学气相沉积的应用范围,特别是提供了在不同的基体上制备各种金属膜、非晶态无机物膜、有机聚合膜的可能性。
PECVD用于沉积低温(小于300度)的Si3N4和SiO2膜,能比较好的解决上述存在的问题,对提高器件可靠性、稳定性和发展大规模集成电路多层布线工艺提供了良好的成膜途径。
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