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化学气相沉积系统用哪个牌子的比较好
作者:科佳电炉 来源：原创 发表时间：2018-12-25 10:37:39
一、定义：
化学气相沉积法（chemical vapor deposition）是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。 简单地说，CVD是让某种需要的材料的气体在高温下面分解，然后让生成的颗粒均匀的落在我们用来改造的东西上（基底），并且可以按需要长成固定的形状大小（比如管状，片状，等等）
二、发展历史：
CVD最早可以追溯到原始年代。古代人在洞穴中焚烧木材，会在洞穴的墙壁上面留下一层黑色的碳灰，这也可以认为是一种沉积过程。现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料，这些功能材料必须是高纯的，或者是在高纯材料中有意地掺人某种杂质形成的掺杂材料。但是，我们过去所熟悉的许多制备方法如高温熔炼、水溶液中沉淀和结晶等往往难以满足这些要求，也难以保证得到高纯度的产品。因此，无机新材料的合成就成为现代材料科学中的主要课题。 化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态天机薄膜材料。
三、原理简介
首先是气体进入反应器（①） 然后是气体被吸附到材料表面（②） 然后气体在材料表面发生化学反应，分解，成核，等等（③） 然后随着反应的进行，沉积下来的材料会越来越多，并且按特定方向排列，我们称之为生长（④） 最后是反应生成的副产物，废气等排出反应器（⑤） 用来进行沉积的反应可以很多，主要有四大类： 热分解反应 SiH4(g) →Si(s)+2H2(g) 氧化还原反应 SiH4(g) +O2(g)→SiO2(s)+2H2(g) 化学合成反应 TiCl4 (g) +CH4 (g) →TiC (s) +4HCl (g) 歧化反应 2GeI2(g) →Ge(s) + GeI4(g)
CVD根据原理，
条件的不同，可以分为以下几种： 低压CVD(LPCVD) 常压CVD(APCVD) 亚常压CVD(SACVD) 超高真空CVD(UHCVD) 等离子体增强CVD(PECVD) 高密度等离子体CVD(HDPCVD) 快热CVD(RTCVD) 金属有机物CVD(MOCVD)
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