氮化硅薄膜是一种物理、化学性能十分优良的介质膜,具有高的致密性、高的介电常数、良好的绝缘性能和优异的抗Na能力等,因此广泛应用于集成电路的最后保护膜、耐磨抗蚀涂层、表面钝化、层间绝缘、介质电容等。氮化硅膜已用于制作新功能、多功能、高可靠性的器件,其特性在很大程度上依赖于薄膜的制作条件。

 

沉积氮化硅薄膜,射频源频率是标准频率13.56MHz,使用SiH42NH3(Ar)气体系统,典型条件为:

沉积温度330℃;射频功率100～200W;满载装片量20.32cm硅片8片;工作气压200Pa;气体流量比R[SiH4(mL/min)/NH3(mL/min)]=1/10,根据工作气压调整SiH4、NH3及保护气体Ar流量,一般情况下NH3过饱和,根据折射率调整SiH4流量。试验选用单面抛光的P型硅片(100)晶面作衬底,薄膜沉积时对单晶硅片晶向电阻率无要求,抛光后的硅片从抛光机上卸下不必使其干燥,然后经过以下处理:(1)用去离子水冲洗10min;(2)在120℃的V(H2SO4)ζV(H2O2)=3ζ1溶液中浸。等离子增强化学气相沉积(简称PECVD)具有沉积温度低(<400℃)、沉积膜针孔密度小、均匀性好、台阶覆盖性好等优点。PECVD氮化硅薄膜技术已在半导体器件、集成电路的研制、芯片的钝化膜和多层布线间介质膜制作中得到广泛应用。

 

科佳pecvd系统可用于沉积SiO薄膜、Si3N4薄膜、金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜、炭纳米管（CNT）和氮化硅等，可以通多路保护气体，与多家知名高校和企业合作，用户可以根据自己的需求定做，咨询热线：0371-67826992