在CVD技术中沉积温度，进入反应室混合气体的总流量及总压力，混合气体中各气相成分的分压力和它们之间的相对比例，沉积时间，基片的性质、形状和在反应室中的位置等都是影响CVD沉积膜的质量因素，而这些因素之间既互有联系、又互相影响。19X高温箱式电阻炉,管式炉,真空退火炉,真空烧结炉,管式高温炉-郑州科佳电炉有限公司
下面简单介绍一下沉积温度对膜质量的影响：19X高温箱式电阻炉,管式炉,真空退火炉,真空烧结炉,管式高温炉-郑州科佳电炉有限公司
    不同的沉积温度不但使膜的沉积速率不同，而且在不同温度下同一反应体系，沉积薄膜可以是单晶、多晶或非晶，甚至很难发生沉积。例如，以H2为携带气体，以SH4和HCL为1:1的混合气体为反应气体，在硅单晶基片上外延时沉积温度、生长速率和沉积层结构的关系，因沉积温度愈低，反应生成的Si原子在基片表面的扩散和迁移愈困难，它们来不及排列到正常格点上，从而会造成大量的缺陷。或者说，温度愈高，能够使得在外延层中不产生缺陷，生长速率也愈高，沉积速率愈高，薄膜的结晶排列也逐步由杂乱转变为整齐规则。19X高温箱式电阻炉,管式炉,真空退火炉,真空烧结炉,管式高温炉-郑州科佳电炉有限公司
19X高温箱式电阻炉,管式炉,真空退火炉,真空烧结炉,管式高温炉-郑州科佳电炉有限公司
19X高温箱式电阻炉,管式炉,真空退火炉,真空烧结炉,管式高温炉-郑州科佳电炉有限公司
19X高温箱式电阻炉,管式炉,真空退火炉,真空烧结炉,管式高温炉-郑州科佳电炉有限公司
19X高温箱式电阻炉,管式炉,真空退火炉,真空烧结炉,管式高温炉-郑州科佳电炉有限公司