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CVD技术主要使用的设备是化学气相沉积系统,该设备主要应用于各种CVD实验,也可用于真空烧结、真空气氛保护烧结、纳米材料制备、电池材料制备等多研究领域。使用该炉子做实验时,有如下特点:
1、设备的工艺操作都较简单、灵活性较强,能制备出配比各异的单一或复合膜层和合金膜层;
2、CVD法的使用性较广泛,可制备各种金属或金属膜涂层;
3、因沉积速率可高达每分钟几微米到数百微米,因此生产效率高;
4、与PVD法相比较绕射性好,非常适宜涂覆形状复杂的基本,如槽沟、涂孔甚至盲孔结构均可镀制成膜;
5、涂层致密性好,由于成膜过程温度较高,膜基界面上的附着力很强,故膜层十分牢固;
6、承受放射线辐射后的损伤较低,能与MOS集成电路工艺相融合。
CVD技术的不足,一是沉积温度高可达800-1100°C,在这样高的温度下工件易于变形,特别是对于那些不耐高温变化的高精度尺寸的工件,对于其用途会受到一定的限制,二是由于参与沉积的反应物质及反应后的气体大都具有易燃、易爆、有毒或是一定腐蚀性,因此必须采取一定的防护措施。
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