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气相化学沉积系统(CVD管式炉)是利用气态化合物或化合物的混合物在基体受热面上发生化学反应,从而在基体表面上生成不挥发涂层的一种薄膜材料制备系统,它由真空管式炉,多通道气路系统和真空系统组成。适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、碳纳米管生长、石墨烯材料制备、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
此款CVD管式炉有两个温区,采用双层壳体结构和智能化程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,具有真空装置,可以通气氛抽真空,真空泵可以根据客户要求的真空度选配,该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。
主要功能和特点:
1、炉膛采用日本技术真空吸附成型的优质氧化铝多晶纤维无机材料,保温性能好,耐用,拉伸强度高,无杂球,纯度高,节能效果明显优于其它国内纤维材料;
2、加热元件采用合金电阻丝,最高发热温度可达1200℃;
3、升温速度推荐≤10℃/min,最快升温速度20℃/min
4、超温报警断电功能及漏电保护措施,操作安全可靠。
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