1.故障

  

A、真空度  

(l)真空度偏高，真空计有指示(即<133Pa)，但极限真空压力抽不到原设定的压力。这种情况可能有三种现象:第一种是真空系统存在慢泄漏，系统检漏通不过。

原因及解决：各接口的O型密封圈不干净或接头螺帽没有拧紧所致。我们常见的是炉门大O型密封圈没有装好或使用一段时间后O型密封圈老化变形影响密封性所致，此时换一个O型密封圈即可解决;  

(2)第二种情况为真空度指示不正常，但系统检漏尚可，漏速小于0.3Pa/min。  

原因及解决：很可能为压力传感部分被堵，清洗一下即可排除，当然也不能排除机械泵抽气速率下降的可能性

(3)第三种现象是炉管清洗后真空度抽不上来，

原因及解决：可能为冷阱(粒子捕集阱)，波纹管清洗后没有彻底烘干，开机械泵抽真空后剩余的水慢慢气化所致。所以要求清洗后将波纹管和冷阱放在烘箱里烘干，烘箱温度保持在80一100℃为宜。  

B、机械泵抽真空时，真空计无指示(即压力<133Pa)。

原因及解决：可能为进出舟时炉门没有完全关好，此时在炉口处可听到“吱吱”声。关好炉门后此种现象即能排除。

C、淀积速率变慢。正常情况下，当炉温、气体流量、工作压力一定时，其反应速率基本保持稳定，但实际工作中，我们发现淀积速率有时明显变慢，检查气体流量、炉温、工作压力均正常。这种现象特别常见于SiH2C12+NH3体系。  

原因及解决：进人反应系统中的SiH2C12流量减少，由于NH3过量，有时很难从工作压力中看出来。拆开SiH2C12流量计控制阀(电磁阀)或传感部分，从小孔中可以看到有局部堵塞现象，清洗后速率可恢复。

D、淀积不上。这种现象有时出现在多晶硅薄膜的淀积工艺中，由于多晶硅淀积时要求炉温为550一620℃，有时炉子升温时由于过流引起加热电源开关跳掉，实际淀积时炉温已下降至500℃以下，故发生气体流量异常，淀积不上的现象。

 

2.维护  

为了使CVD设备长期正常运转，除了要求操作者正确地操作、使用设备外，采取一些有效的方法维护好设备，是保护好CVD设备正常运转的关键，为此可采取下列措施:  

(l)尽可能地让CVD设备的真空系统处于真空状态。CVD设备按淀积工艺要求，所用的工艺气体及反应生成副产物，一般都具有强烈的腐蚀性。如果

Si3N4薄膜淀积完毕后不及时将反应残余气体抽尽，则很可能腐蚀气路接口、波纹管、真空计、真空泵等。所以，在Si3N4薄膜淀积完毕后，尽量延长真空泵的抽气时间，以便尽可能地抽除残余气体。遇到几天不用时，开启一次真空泵抽一次，以提高设备使用完好率。

(2)及时充装氮气。在作完工艺后，炉管内石英舟上装有淀积好的硅片，一定要将其保存在充满氮气的环境内，以防止氧化、腐蚀，这样可以更好的保存。

(3)定期更换真空泵油。虽然所使用的真空系统安装了真空泵油过滤器，能保持较长时间的泵油清洁。但对于象SiH2C12+NH3这样的反应体系，由于反应时在炉尾和炉口两端生成了副产物NH4CI白色粉末，NH4CI在反应管后部的波纹管、真空管壁上淀积是相当严重的，它和HCI等有害杂质随时有被抽至真空泵的危险。这些颗粒，不断少量地进人真空泵，使泵油变稠，堵塞泵油过滤系统，影响设备的正常运转。所以必须定期更换真空泵油。

(4)定期检修电磁阀。为了防止真空泵油返回真空管道内，在真空泵上安装了电磁阀，该电磁阀常见的故障是，电磁阀内由于有少量的NH4CI粉末存在，使电磁阀内的O型密封圈的密封性能降低，导致真空系统存在着慢泄漏，整个设备的真空系统在停机后不能保持真空状态，只有定期检修电磁阀，清洗后更换电磁阀内的O型密封圈，才能在薄膜淀积完毕后使CVD设备的真空系统处于真空状态。

(5)定期清洗石英管。在淀积过程中石英管和石英舟上都会淀积上一层薄膜，在每次工艺结束后，都应将石英舟在原位适当移动一下，以免石英舟和石英管沾附。随着工艺生产的增多，在石英管和石英舟上淀积的薄膜越来越厚。在达到一定程度后，石英管出现了硅裂的现象，也使得整个石英管的承重加大，超过了其最大负载，一根石英管出现一定程度的下沉(原来两根石英管处于同一水平面上)。从而导致石英舟上装的硅片也跟着一起下沉，偏离了炉管中心位置，造成淀积的薄膜不均匀。因此，进行定期清洗才能保证工艺的稳定性和可重复性，从而保证产品质量