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CVD特点

作者:科佳电炉 来源:原创 发表时间:2014-04-25 15:20:54

CVD系统产品的特点:
1 CVD系统兼容、常压、微正压多种主流的生长模式
2 CVD系统可以在1000Pa-0.1Pa之间任意气压下进行石墨烯的生长
3 CVD系统使用计算机控制,可以设置多种生长参数
4 CVD系统可以制备高质量,大面积石墨烯等碳材料,尺寸可达数厘米,研究动力学过程
5 CVD系统沉积效率高;薄膜的成分准确可控,配比范围大;厚度范围广,由几百埃至数毫米,可以实现厚膜沉积且能大量生产shP高温箱式电阻炉,管式炉,真空退火炉,真空烧结炉,管式高温炉-郑州科佳电炉有限公司
 
CVD技术特点:
具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点
CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜,例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等

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